»ó¼¼Á¤º¸
Ã¥¼Ò°³
¡º°è»êÀüÀÚ°øÇÐ ÀÔ¹®¡»Àº ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¸¦ Á¦Á¶ÇÏ´Â °úÁ¤¿¡¼ ÇÊ¿äÇÑ Áß¿äÇÑ °øÁ¤µé¿¡ ´ëÇÑ ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç ±â¹ýµéÀ» ¼³¸íÇÏ¸ç »êÈ °øÁ¤, È®»ê °øÁ¤, À̿ ÁÖÀÔ °øÁ¤ÀÇ ±âº» ¿ø¸®µéÀ» ¼Ò°³Çϰí À̵éÀ» ÄÄÇ»ÅÍ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ¸·Î ´Ù·ç¾î º»´Ù. ¾Æ¿ï·¯ ¹Ú¸· ÁõÂø °øÁ¤°ú ½Ä°¢ °øÁ¤À» À§ÇÑ °øÁ¤ ¿¡¹Ä·¹À̼ÇÀ» °£´ÜÈ÷ ¼Ò°³ÇÑ´Ù. °è»êÀüÀÚ°øÇÐ ºÐ¾ßÀÇ Æ¯¼º»ó, ½ÇÁ¦ ¼öÄ¡ÇØ¼® ÇÁ·Î±×·¥À» ÀÛ¼ºÇÏ´Â °ÍÀÌ ÇʼöÀûÀ̹ǷÎ, ÀÌ¿¡ ´ëÇÑ ÀûÀýÇÑ ¼öÁØÀÇ ½Ç½À ¿¹Á¦µéÀ» Á¦½ÃÇÏ¿© ÇÇ»óÀûÀÎ ÀÌÇØ¸¦ ¶Ù¾î³ÑÀ» ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÏ¿´´Ù.
ÀúÀÚ¼Ò°³
2001³â°ú 2007³â¿¡ ¼¿ï´ëÇб³¿¡¼ Çлç ÇÐÀ§¿Í ¹Ú»ç ÇÐÀ§¸¦ ¹Þ¾Ò´Ù. µ¶ÀÏ ¹ÀÇî ¿¬¹æ±º ´ëÇб³¿¡¼ ¹Ú»çÈÄ ¿¬±¸¿øÀ¸·Î ÀÏÇÑ ÀÌÈÄ¿¡, 2011³âºÎÅÍ 2013³â±îÁö ¹Ì±¹ ͏®Æ÷´Ï¾ÆÁÖ »êÈ£¼¼¿¡ ÀÖ´Â »ï¼º ¿¬±¸¼Ò¿¡¼ ÀÏÇß´Ù. 2013³â¿¡ ±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø¿¡ ºÎÀÓÇÏ¿© ÇöÀç ºÎ±³¼ö·Î ÀçÁ÷ÁßÀÌ´Ù. ¿¬±¸ ÁÖÁ¦´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇÀ̸ç, IEEE Transactions on Electron DevicesÀÇ Associate Editor·Î Ȱµ¿Çϰí ÀÖ´Ù.
¸ñÂ÷
¸Ó¸®¸»°¨»çÀÇ ±ÛÁÖ¿ä Ç¥±â¹ýÁÖ¿ä »ó¼öµéCHAPTER 01 ¼ ·Ð1.1 °è»êÀüÀÚ°øÇп¡ ´ëÇÏ¿©1.2 °øÁ¤ ½Ã¹Ä·¹À̼ǿ¡¼ ´Ù·ç´Â ¹üÀ§1.3 ±¸Á¶ÀÇ Ç¥Çö1.4 ¿ª»çÀûÀÎ ¹ßÀüCHAPTER 02 2Â÷¿ø/3Â÷¿ø ±¸Á¶, °úµµ ÀÀ´ä, Èñ¼Ò Çà·Ä2.1 µé¾î°¡¸ç2.2 2Â÷¿ø/3Â÷¿ø ±¸Á¶2.3 Laplace ¹æÁ¤½ÄÀÇ ±¸Çö2.4 °úµµ ÀÀ´ä2.5 Èñ¼Ò Çà·ÄCHAPTER 03 »êÈ °øÁ¤3.1 µé¾î°¡¸ç3.2 »êÈ °øÁ¤ÀÇ ¿ø¸®3.3 Deal-Grove ¸ðµ¨ÀÇ À¯µµ3.4 Deal-Grove ¸ðµ¨ÀÇ ¼öÄ¡ÇØ¼®Àû ±¸Çö3.5 1Â÷¿ø ºÎÇÇ ÆØÃ¢3.6 Deal-Grove ¸ðµ¨ÀÇ 2Â÷¿ø È®Àå3.7 »êÈ °øÁ¤ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇCHAPTER 04 È®»ê °øÁ¤4.1 µé¾î°¡¸ç4.2 È®»ê °øÁ¤ÀÇ ¿ø¸®4.3 ´Ü¼øÇÑ È®»ê ½Ã¹Ä·¹À̼Ç4.4 °æ°è Á¶°Ç4.5 2Â÷¿ø È®Àå4.6 ¿©·¯ Á¾·ùÀÇ ºÒ¼ø¹° È®»ê4.7 Àü±âÀå È¿°ú4.8 ¹ßÀüµÈ È®»ê ½Ã¹Ä·¹ÀÌ¼Ç ±â¹ýµéCHAPTER 05 À̿ ÁÖÀÔ °øÁ¤5.1 µé¾î°¡¸ç5.2 À̿ ÁÖÀÔÀÇ ¿ø¸®5.3 ÁÖÀÔµÈ ÀÌ¿ÂÀÇ ºÐÆ÷¿¡ ´ëÇÑ ÇØ¼®ÀûÀÎ ½Äµé5.4 Monte Carlo ±â¹ý5.5 Monte Carlo ±â¹ýÀÇ Àû¿ë ¿¹CHAPTER 06 °øÁ¤ ¿¡¹Ä·¹À̼Ç6.1 µé¾î°¡¸ç6.2 °øÁ¤ ¿¡¹Ä·¹À̼ÇÀÇ Çʿ伺6.3 Level-set ÇÔ¼ö6.4 Level-set ¹æÁ¤½Ä6.5 ¹ßÀüµÈ °øÁ¤ ¿¡¹Ä·¹ÀÌ¼Ç ±â¹ýµéCHAPTER 07 MOSFET °øÁ¤7.1 µé¾î°¡¸ç7.2 ¼¿ï´ëÇб³ ¹ÝµµÃ¼°øµ¿¿¬±¸¼Ò 0.25 ¸¶ÀÌÅ©·Ð CMOS °øÁ¤7.3 °øÁ¤ ½Ã¹Ä·¹À̼ÇCHAPTER 08 ¸¶¹«¸®8.1 ¿ä¾à8.2 ´Ù·çÁö ¸øÇÑ °ü·Ã ÁÖÁ¦µéÂü°í¹®Çåã¾Æº¸±âÁöÀºÀÌ ¼Ò°³